VS
Którego wybrać
Nadszedł czas, aby wybrać zwycięzcę. Jaka jest różnica między Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB oraz Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB? Która pamięć jest szybsza? Ustalenie tego jest dość proste - wystarczy spojrzeć na tabelę porównawczą. Wygrywa pamięć o mniejszym opóźnieniu i większej szybkości odczytu/zapisu.
Podstawowe dane techniczne
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Specs
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
DDR4
type
DDR4
2256
average
2064
24
latency
50
12.7 GB/s
read time
10.2 GB/s
6.3 GB/s
write time
7.5 GB/s
NA
price
NA
Popularne porównania zawierające tę pamięć RAM
1.
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB vs
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
VS
Którego wybrać
Nadszedł czas, aby wybrać zwycięzcę. Jaka jest różnica między Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB oraz Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB? Która pamięć jest szybsza? Ustalenie tego jest dość proste - wystarczy spojrzeć na tabelę porównawczą. Wygrywa pamięć o mniejszym opóźnieniu i większej szybkości odczytu/zapisu.
Podstawowe dane techniczne
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Specs
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
DDR4
type
DDR4
2256
average
2064
24
latency
50
12.7 GB/s
read time
10.2 GB/s
6.3 GB/s
write time
7.5 GB/s
NA
price
NA
Popularne porównania zawierające tę pamięć RAM
| 1. |
|
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB |