VS
Lequel choisir
Il est temps de choisir un gagnant. Quelle est la différence entre Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB et Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB? Quelle mémoire est la plus rapide ? C'est assez simple à déterminer : il suffit de regarder le tableau comparatif. La mémoire dont la latence est la plus faible et la vitesse de lecture/écriture la plus élevée est la gagnante.
Spécifications de base
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Specs
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
DDR4
type
DDR4
2256
average
2064
24
latency
50
12.7 GB/s
read time
10.2 GB/s
6.3 GB/s
write time
7.5 GB/s
NA
price
NA
Comparaisons populaires contenant cette mémoire vive
1.
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB vs
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
VS
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Il est temps de choisir un gagnant. Quelle est la différence entre Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB et Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB? Quelle mémoire est la plus rapide ? C'est assez simple à déterminer : il suffit de regarder le tableau comparatif. La mémoire dont la latence est la plus faible et la vitesse de lecture/écriture la plus élevée est la gagnante.
Spécifications de base
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Specs
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
DDR4
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DDR4
2256
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