Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
VS
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
VS
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Quale scegliere

È il momento di scegliere il vincitore. Qual è la differenza tra Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB e Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB? Quale memoria è più veloce? Determinarlo è abbastanza semplice: basta guardare la tabella di confronto. La memoria con una latenza inferiore e una velocità di lettura/scrittura superiore è la vincitrice.

Specifiche di base

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Specs
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
DDR4
type
DDR4
2256
average
2064
24
latency
50
12.7 GB/s
read time
10.2 GB/s
6.3 GB/s
write time
7.5 GB/s
NA
price
NA