VS
Qué elegir
Es hora de elegir un ganador. ¿Cuál es la diferencia entre Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB y Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB? ¿Qué memoria es más rápida? Determinarlo es bastante sencillo: mira la tabla comparativa. La memoria con menor latencia y mayor velocidad de lectura/escritura es la ganadora.
Especificaciones básicas
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Specs
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
DDR4
type
DDR4
2256
average
2064
24
latency
50
12.7 GB/s
read time
10.2 GB/s
6.3 GB/s
write time
7.5 GB/s
NA
price
NA
Comparaciones populares que contienen esta memoria RAM
1.
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB vs
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
VS
Qué elegir
Es hora de elegir un ganador. ¿Cuál es la diferencia entre Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB y Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB? ¿Qué memoria es más rápida? Determinarlo es bastante sencillo: mira la tabla comparativa. La memoria con menor latencia y mayor velocidad de lectura/escritura es la ganadora.
Especificaciones básicas
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Specs
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
DDR4
type
DDR4
2256
average
2064
24
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