RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S - Testy i specyfikacje

Podstawowe informacje o wydajności i wynikach benchmarków modelu Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S. Testy rzeczywiste odzwierciedlają wydajność modułu pamięci w porównaniu z modułami tego samego typu. W testach modułów pamięci DDR3, DDR4 i DDR5 wykorzystano procesory Intel i AMD.

  • Inna nazwa: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-S6
  • Opis: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Typ pamięci RAM: DDR2
  • Średnia: 628

Kupuj tutaj:

Informacje ogólne

Opis: Specyfikacje wydajności modułu pamięci: Latencja (ns), Odczyt niepodłączony (GB/s), Zapis (GB/s). Informacje o cenie.

Specyfikacja pamięci RAM

Latencja: 65 ns   Read Uncached: 3,999.4 GB/s
Write: 1,827.3 GB/s   Price: NA
0.0 Ze strony 0 Hitesti Ocena
Dodaj recenzję dla Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S

Przegląd Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
VS
up_down img z innymi pamięciami RAM