Podstawowe informacje o wydajności i wynikach benchmarków modelu Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S. Testy rzeczywiste odzwierciedlają wydajność modułu pamięci w porównaniu z modułami tego samego typu. W testach modułów pamięci DDR3, DDR4 i DDR5 wykorzystano procesory Intel i AMD.
0
komentarz
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S - Testy i specyfikacje
- Inna nazwa: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-S6
- Opis: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- Typ pamięci RAM: DDR2
- Średnia: 628
Kupuj tutaj:
AliExpress
Informacje ogólne
Opis: Specyfikacje wydajności modułu pamięci: Latencja (ns), Odczyt niepodłączony (GB/s), Zapis (GB/s). Informacje o cenie.
Specyfikacja pamięci RAM
| Latencja: | 65 ns | Read Uncached: | 3,999.4 GB/s | |||
| Write: | 1,827.3 GB/s | Price: | NA | |||
Latencja
Opóźnienie - czas, w którym moduł pamięci RAM uzyskuje dostęp do określonego zestawu danych w jednej z kolumn i wyprowadza te dane na swoje wyjścia.
Szybkość odczytu bez buforowania Transfer
Indeks wydajności pamięci RAM w odczycie
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Prędkość transferu zapisu
Wskaźnik wydajności zapisu w pamięci RAM
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
0.0
Ze strony 0
Hitesti Ocena
Aby zostawić recenzję, należy login
Przegląd Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
VS
z innymi pamięciami RAM