Informations de base sur les performances et les résultats des tests de référence du modèle Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S. Les tests actuels reflètent les performances du module de mémoire par rapport aux modules du même type. Les tests des modules de mémoire DDR3, DDR4 et DDR5 utilisent des processeurs Intel et AMD.
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RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S - Tests et spécifications
- Autre nom : Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-S6
- Description : PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- Type de RAM : DDR2
- Moyenne : 628
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Informations générales
Description : Spécifications de performance du module de mémoire : Latence (ns), lecture non cachée (GB/s), écriture (GB/s). Informations sur les prix.
Spécifications de la RAM
| Latence: | 65 ns | Read Uncached: | 3,999.4 GB/s | |||
| Write: | 1,827.3 GB/s | Price: | NA | |||
Latence
Latence - le temps qu`il faut au module de RAM pour accéder à un ensemble particulier de données dans l`une des colonnes et sortir ces données vers ses sorties.
Vitesse de transfert en lecture sans cache
Indice de performance de lecture de la RAM
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Vitesse de transfert en écriture
Indice de performance en écriture de la RAM
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
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De 0
Hitesti evaluation
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Vue d'ensemble Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
VS
avec d'autres RAM