RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S - テストと仕様

モデルの性能とベンチマーク結果に関する基本情報 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S. 実際のテストでは、同タイプのモジュールとの比較において、メモリモジュールの性能が反映されます。 DDR3、DDR4、DDR5メモリーモジュールのテストでは、IntelとAMDのプロセッサーを使用しています。

  • その他の名称 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-S6
  • 説明 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • RAMタイプ DDR2
  • 平均値 628

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一般情報

説明 メモリモジュールの性能仕様。レイテンシー(ns)、リード・アンキャッシュ(GB/s)、ライト(GB/s)。価格情報。

RAMの仕様

レイテンシー: 65 ns   Read Uncached: 3,999.4 GB/s
Write: 1,827.3 GB/s   Price: NA

レイテンシー

レイテンシー - RAMモジュールが列の1つにある特定のデータセットにアクセスし、そのデータを出力するのにかかる時間です。

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レビューの追加 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S

概要 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
VS
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