RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6 - Testy i specyfikacje

Podstawowe informacje o wydajności i wynikach benchmarków modelu Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6. Testy rzeczywiste odzwierciedlają wydajność modułu pamięci w porównaniu z modułami tego samego typu. W testach modułów pamięci DDR3, DDR4 i DDR5 wykorzystano procesory Intel i AMD.

  • Inna nazwa: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6BFR8C-H9
  • Opis: PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Typ pamięci RAM: DDR3
  • Średnia: 1449

Kupuj tutaj:

Informacje ogólne

Opis: Specyfikacje wydajności modułu pamięci: Latencja (ns), Odczyt niepodłączony (GB/s), Zapis (GB/s). Informacje o cenie.

Specyfikacja pamięci RAM

Latencja: 28 ns   Read Uncached: 10.6 GB/s
Write: 7.2 GB/s   Price: $99 USD (2019-05-16)
0.0 Ze strony 0 Hitesti Ocena
Dodaj recenzję dla Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6

Przegląd Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6
VS
up_down img z innymi pamięciami RAM