モデルの性能とベンチマーク結果に関する基本情報 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6. 実際のテストでは、同タイプのモジュールとの比較において、メモリモジュールの性能が反映されます。 DDR3、DDR4、DDR5メモリーモジュールのテストでは、IntelとAMDのプロセッサーを使用しています。
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解説
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6 - テストと仕様
- その他の名称 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6BFR8C-H9
- 説明 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
- RAMタイプ DDR3
- 平均値 1449
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一般情報
説明 メモリモジュールの性能仕様。レイテンシー(ns)、リード・アンキャッシュ(GB/s)、ライト(GB/s)。価格情報。
RAMの仕様
| レイテンシー: | 28 ns | Read Uncached: | 10.6 GB/s | |||
| Write: | 7.2 GB/s | Price: | $99 USD (2019-05-16) | |||
レイテンシー
レイテンシー - RAMモジュールが列の1つにある特定のデータセットにアクセスし、そのデータを出力するのにかかる時間です。
リード・アンキャッシュ転送速度
RAMの読み出し性能指数
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
書き込み転送速度
RAM書込み性能指数
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
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Hitesti 評価
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概要 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6
VS
他のRAMと