Основная информация о производительности и результатах бенчмарков модели Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6. Фактические тесты отражают производительность модуля памяти по отношению к модулям того же типа. В тестах модулей памяти DDR3, DDR4 и DDR5 используются процессоры Intel и AMD.
0
Комментарии
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6 - Тесты и характеристики
- Другое название: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6BFR8C-H9
- Описание: PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
- Тип оперативной памяти: DDR3
- Среднее значение: 1449
Купить здесь:
Яндекс.Маркет
СберМегаМаркет
AliExpress
Общая информация
Описание: Характеристики производительности модуля памяти: Латентность (нс), чтение без кэширования (ГБ/с), запись (ГБ/с). Информация о цене.
Спецификации оперативной памяти
| Латентность: | 28 ns | Read Uncached: | 10.6 GB/s | |||
| Write: | 7.2 GB/s | Price: | $99 USD (2019-05-16) | |||
Латентность
Латентность — время, которое требуется модулю оперативной памяти для доступа к определенному набору данных в одной из колонок и вывода этих данных на свои выходы.
Скорость передачи данных при чтении без кэширования
Индекс производительности чтения оперативной памяти
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
Скорость передачи данных при записи
Индекс производительности записи в оперативную память
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
0.0
Из 0
Hitesti Оценка
Для того, чтобы оставить отзыв, нужно login
Обзор Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6
VS
с другими RAM