RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 78.AAG9O.9L4 2GB - Testy i specyfikacje

Podstawowe informacje o wydajności i wynikach benchmarków modelu Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 78.AAG9O.9L4 2GB. Testy rzeczywiste odzwierciedlają wydajność modułu pamięci w porównaniu z modułami tego samego typu. W testach modułów pamięci DDR3, DDR4 i DDR5 wykorzystano procesory Intel i AMD.

  • Inna nazwa: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 78.AAG9O.9L4
  • Opis: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Typ pamięci RAM: DDR2
  • Średnia: 645

Kupuj tutaj:

Informacje ogólne

Opis: Specyfikacje wydajności modułu pamięci: Latencja (ns), Odczyt niepodłączony (GB/s), Zapis (GB/s). Informacje o cenie.

Specyfikacja pamięci RAM

Latencja: 69 ns   Read Uncached: 4,052.5 GB/s
Write: 1,872.9 GB/s   Price: NA
0.0 Ze strony 0 Hitesti Ocena
Dodaj recenzję dla Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 78.AAG9O.9L4 2GB

Przegląd Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 78.AAG9O.9L4 2GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 78.AAG9O.9L4 2GB
VS
up_down img z innymi pamięciami RAM