Podstawowe informacje o wydajności i wynikach benchmarków modelu Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB. Testy rzeczywiste odzwierciedlają wydajność modułu pamięci w porównaniu z modułami tego samego typu. W testach modułów pamięci DDR3, DDR4 i DDR5 wykorzystano procesory Intel i AMD.
0
komentarz
RAM Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB - Testy i specyfikacje
- Inna nazwa: Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ
- Opis: PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
- Typ pamięci RAM: DDR4
- Średnia: 2808
Kupuj tutaj:
AliExpress
Informacje ogólne
Opis: Specyfikacje wydajności modułu pamięci: Latencja (ns), Odczyt niepodłączony (GB/s), Zapis (GB/s). Informacje o cenie.
Specyfikacja pamięci RAM
| Latencja: | 37 ns | Read Uncached: | 16.0 GB/s | |||
| Write: | 12.6 GB/s | Price: | NA | |||
Latencja
Opóźnienie - czas, w którym moduł pamięci RAM uzyskuje dostęp do określonego zestawu danych w jednej z kolumn i wyprowadza te dane na swoje wyjścia.
Szybkość odczytu bez buforowania Transfer
Indeks wydajności pamięci RAM w odczycie
17.9 GB/s
18.3 GB/s
13.8 GB/s
16.1 GB/s
18.2 GB/s
18.5 GB/s
13.9 GB/s
16.1 GB/s
16.8 GB/s
Prędkość transferu zapisu
Wskaźnik wydajności zapisu w pamięci RAM
13.8 GB/s
14.5 GB/s
10.1 GB/s
11.7 GB/s
14.6 GB/s
14.4 GB/s
9.9 GB/s
13.0 GB/s
12.8 GB/s
0.0
Ze strony 0
Hitesti Ocena
Aby zostawić recenzję, należy login
Przegląd Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
VS
z innymi pamięciami RAM