Informazioni di base sulle prestazioni e sui risultati dei benchmark del modello Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB. I test attuali riflettono le prestazioni del modulo di memoria in relazione ai moduli dello stesso tipo. I test dei moduli di memoria DDR3, DDR4 e DDR5 utilizzano processori Intel e AMD.
0
Commento
RAM Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB - Test e specifiche
- Altro nome: Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ
- Descrizione: PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
- Tipo di RAM: DDR4
- Media: 2808
Acquista qui:
AliExpress
Informazioni generali
Descrizione: Specifiche delle prestazioni del modulo di memoria: Latenza (ns), Lettura non memorizzata (GB/s), Scrittura (GB/s). Informazioni sul prezzo.
Specifiche della RAM
| Latenza: | 37 ns | Read Uncached: | 16.0 GB/s | |||
| Write: | 12.6 GB/s | Price: | NA | |||
Latenza
Latenza - il tempo necessario al modulo RAM per accedere a un particolare insieme di dati in una delle colonne ed emettere tali dati sulle sue uscite.
Velocità di trasferimento in lettura non memorizzata
Indice delle prestazioni di lettura della RAM
17.9 GB/s
18.3 GB/s
13.8 GB/s
16.1 GB/s
18.2 GB/s
18.5 GB/s
13.9 GB/s
16.1 GB/s
16.8 GB/s
Velocità di trasferimento in scrittura
Indice delle prestazioni di scrittura della RAM
13.8 GB/s
14.5 GB/s
10.1 GB/s
11.7 GB/s
14.6 GB/s
14.4 GB/s
9.9 GB/s
13.0 GB/s
12.8 GB/s
0.0
Da 0
Hitesti valutazione
Per lasciare una recensione, è necessario login
Panoramica Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
VS
con altre RAM