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DDR4 RAM的评分。内存模块的主要特征。比较和选择. | Hitesti Page 124
DDR4 内存模块
DDR4安装在固定计算机,笔记本电脑,单块中。与DDR3相比,电压降至1.2V。时钟频率范围高达4400 MHz。比其前身更有效,更快。但是,由于特定的体系结构,在内存计时方面不如DDR3。
№
Memory name
Latency (ns)
Read (MB/s)
Write (MB/s)
Price
2461
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
29
12.2
9.6
NA
2462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
45
6.9
6.3
NA
2463
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
29
13.5
10.2
NA
2464
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
26
15.6
11.8
NA
2465
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
122
9.4
5.8
NA
2466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
22
18.2
15.6
NA
2467
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
22
17.1
14.5
NA
2468
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
20
19.0
15.1
NA
2469
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
20
19.4
15.0
NA
2470
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
19
20.0
17.5
NA
2471
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
75
14.3
6.3
NA
2472
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
22
17.4
13.6
NA
2473
Inmos + 256MB
30
11.5
9.1
NA
2474
InnoDisk Corporation 16GB
38
7.7
8.2
NA
2475
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
32
18.3
14.9
NA
2476
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
101
12.1
6.7
NA
2477
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
85
11.3
6.0
NA
2478
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
86
12.1
5.7
NA
2479
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
30
15.5
7.6
NA
2480
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
24
15.9
8.7
NA
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