RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB - 测试和规格

关于模型的性能和基准结果的基本信息 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。

  • 其他名称。 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH
  • 描述。 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 内存类型。 DDR4
  • 平均数。 1411

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一般信息

描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。

内存规格

延迟: 122 ns   Read Uncached: 9.4 GB/s
Write: 5.8 GB/s   Price: NA
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概述 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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