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DDR4 RAM的评分。内存模块的主要特征。比较和选择. | Hitesti Page 121
DDR4 内存模块
DDR4安装在固定计算机,笔记本电脑,单块中。与DDR3相比,电压降至1.2V。时钟频率范围高达4400 MHz。比其前身更有效,更快。但是,由于特定的体系结构,在内存计时方面不如DDR3。
№
Memory name
Latency (ns)
Read (MB/s)
Write (MB/s)
Price
2401
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
25
17.3
13.7
NA
2402
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
24
13.9
6.5
NA
2403
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
24
18.4
14.3
NA
2404
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
77
13.1
5.5
NA
2405
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
76
15.1
7.9
NA
2406
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
22
17.2
12.4
NA
2407
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
31
15.7
9.5
NA
2408
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
52
10.0
7.6
NA
2409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
24
16.0
12.5
NA
2410
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
24
12.7
6.3
NA
2411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
28
14.3
11.4
NA
2412
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
25
14.2
7.4
NA
2413
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
25
14.6
9.9
NA
2414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
37
9.1
7.6
NA
2415
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
32
11.3
7.6
NA
2416
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
34
11.1
9.5
NA
2417
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
33
11.6
8.3
NA
2418
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
35
9.8
7.9
NA
2419
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
38
9.4
8.3
NA
2420
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
60
7.8
2.8
NA
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