RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB - 测试和规格

关于模型的性能和基准结果的基本信息 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。

  • 其他名称。 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK
  • 描述。 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 内存类型。 DDR4
  • 平均数。 2704

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一般信息

描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。

内存规格

延迟: 25 ns   Read Uncached: 15.3 GB/s
Write: 12.7 GB/s   Price: NA
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概述 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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