RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB - Tests und Spezifikationen

Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.

  • Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK
  • Beschreibung: PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • RAM-Typ: DDR4
  • Durchschnittlich: 2704

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Allgemeine Informationen

Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.

RAM-Spezifikationen

Latenzzeit: 25 ns   Read Uncached: 15.3 GB/s
Write: 12.7 GB/s   Price: NA
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Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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