RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB - Pruebas y especificaciones

Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.

  • Otro nombre: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK
  • Descripción: PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tipo de memoria RAM: DDR4
  • Media: 2704

Compre aquí:

Información general

Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.

Especificaciones de la memoria RAM

Latencia: 25 ns   Read Uncached: 15.3 GB/s
Write: 12.7 GB/s   Price: NA
0.0 Desde 0 Hitesti evaluación
Añadir revisión para Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Resumen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
VS
up_down img con otros RAMs