Podstawowe informacje o wydajności i wynikach benchmarków modelu Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) M391B1G73AH0-YH9 8GB. Testy rzeczywiste odzwierciedlają wydajność modułu pamięci w porównaniu z modułami tego samego typu. W testach modułów pamięci DDR3, DDR4 i DDR5 wykorzystano procesory Intel i AMD.
0
komentarz
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) M391B1G73AH0-YH9 8GB - Testy i specyfikacje
- Inna nazwa: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) M391B1G73AH0-YH9
- Opis: PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
- Typ pamięci RAM: DDR3
- Średnia: 2367
Kupuj tutaj:
Informacje ogólne
Opis: Specyfikacje wydajności modułu pamięci: Latencja (ns), Odczyt niepodłączony (GB/s), Zapis (GB/s). Informacje o cenie.
Specyfikacja pamięci RAM
Latencja: | 26 ns | Read Uncached: | 14.1 GB/s | |||
Write: | 8.1 GB/s | Price: | $50.43 USD (2019-06-05) |
Latencja
Opóźnienie - czas, w którym moduł pamięci RAM uzyskuje dostęp do określonego zestawu danych w jednej z kolumn i wyprowadza te dane na swoje wyjścia.
Szybkość odczytu bez buforowania Transfer
Indeks wydajności pamięci RAM w odczycie
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
Prędkość transferu zapisu
Wskaźnik wydajności zapisu w pamięci RAM
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
Aby zostawić recenzję, należy login
Przegląd Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) M391B1G73AH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) M391B1G73AH0-YH9 8GB
VS
z innymi pamięciami RAM