Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
VS
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
VS
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Którego wybrać

Nadszedł czas, aby wybrać zwycięzcę. Jaka jest różnica między Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB oraz Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB? Która pamięć jest szybsza? Ustalenie tego jest dość proste - wystarczy spojrzeć na tabelę porównawczą. Wygrywa pamięć o mniejszym opóźnieniu i większej szybkości odczytu/zapisu.

Podstawowe dane techniczne

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Specs
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
DDR3
type
DDR3
1444
average
1348
27
latency
41
10.7 GB/s
read time
11.1 GB/s
7.4 GB/s
write time
8.2 GB/s
NA
price
$9.99 USD (2019-01-14)