モデルの性能とベンチマーク結果に関する基本情報 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6. 実際のテストでは、同タイプのモジュールとの比較において、メモリモジュールの性能が反映されます。 DDR3、DDR4、DDR5メモリーモジュールのテストでは、IntelとAMDのプロセッサーを使用しています。
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解説
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6 - テストと仕様
- その他の名称 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-S6
- 説明 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- RAMタイプ DDR2
- 平均値 646
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一般情報
説明 メモリモジュールの性能仕様。レイテンシー(ns)、リード・アンキャッシュ(GB/s)、ライト(GB/s)。価格情報。
RAMの仕様
| レイテンシー: | 65 ns | Read Uncached: | 4,089.5 GB/s | |||
| Write: | 1,955.9 GB/s | Price: | NA | |||
レイテンシー
レイテンシー - RAMモジュールが列の1つにある特定のデータセットにアクセスし、そのデータを出力するのにかかる時間です。
リード・アンキャッシュ転送速度
RAMの読み出し性能指数
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
書き込み転送速度
RAM書込み性能指数
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
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Hitesti 評価
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概要 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6
VS
他のRAMと