RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6 - 测试和规格

关于模型的性能和基准结果的基本信息 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。

  • 其他名称。 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-S6
  • 描述。 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • 内存类型。 DDR2
  • 平均数。 646

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一般信息

描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。

内存规格

延迟: 65 ns   Read Uncached: 4,089.5 GB/s
Write: 1,955.9 GB/s   Price: NA
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概述 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6
VS
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