Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.
0
Kommentar
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB - Tests und Spezifikationen
- Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB
- Beschreibung: PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
- RAM-Typ: DDR3
- Durchschnittlich: 1920
Kaufen Sie hier:
AliExpress
Allgemeine Informationen
Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.
RAM-Spezifikationen
| Latenzzeit: | 28 ns | Read Uncached: | 11.8 GB/s | |||
| Write: | 7.9 GB/s | Price: | NA | |||
Latenzzeit
Latenzzeit - die Zeit, die das RAM-Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer der Spalten zuzugreifen und diese Daten an seinen Ausgängen auszugeben.
Read Uncached Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Leseleistungsindex
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
Schreib-Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Schreib-Leistungsindex
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
0.0
Von 0
Hitesti Bewertung
Um eine Bewertung abzugeben, müssen sie login
Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
VS
mit anderen Widder