モデルの性能とベンチマーク結果に関する基本情報 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB. 実際のテストでは、同タイプのモジュールとの比較において、メモリモジュールの性能が反映されます。 DDR3、DDR4、DDR5メモリーモジュールのテストでは、IntelとAMDのプロセッサーを使用しています。
0
解説
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB - テストと仕様
- その他の名称 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB
- 説明 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
- RAMタイプ DDR3
- 平均値 1920
ここで購入：
AliExpress
一般情報
説明 メモリモジュールの性能仕様。レイテンシー(ns)、リード・アンキャッシュ(GB/s)、ライト(GB/s)。価格情報。
RAMの仕様
| レイテンシー: | 28 ns | Read Uncached: | 11.8 GB/s | |||
| Write: | 7.9 GB/s | Price: | NA | |||
レイテンシー
レイテンシー - RAMモジュールが列の1つにある特定のデータセットにアクセスし、そのデータを出力するのにかかる時間です。
リード・アンキャッシュ転送速度
RAMの読み出し性能指数
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
書き込み転送速度
RAM書込み性能指数
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
0.0
から 0
Hitesti 評価
レビューを残すには、次のことが必要です login
概要 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
VS
他のRAMと