Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
VS
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
VS
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Welche Sie auswählen

Es ist an der Zeit, einen Gewinner zu küren. Was ist der Unterschied zwischen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB und Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB? Welcher Speicher ist schneller? Die Bestimmung ist ganz einfach - schauen Sie sich die Vergleichstabelle an. Der Speicher mit der geringeren Latenz und der höheren Lese-/Schreibgeschwindigkeit ist der Gewinner.

Basis-Spezifikationen

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Specs
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
DDR3
type
DDR3
1920
average
1420
28
latency
48
11.8 GB/s
read time
8.9 GB/s
7.9 GB/s
write time
5.9 GB/s
NA
price
$21 USD (2019-03-10)