RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY 2GB - 测试和规格

关于模型的性能和基准结果的基本信息 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY 2GB. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。

  • 其他名称。 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY
  • 描述。 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • 内存类型。 DDR2
  • 平均数。 664

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一般信息

描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。

内存规格

延迟: 57 ns   Read Uncached: 4,073.8 GB/s
Write: 1,702.7 GB/s   Price: NA
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概述 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY 2GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY 2GB
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