RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY 2GB - Testes e especificações

Informação básica sobre o desempenho e resultados de referência do modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY 2GB. Os testes dos módulos de memória DDR3, DDR4 e DDR5 utilizam processadores Intel e AMD. Os testes reais reflectem o desempenho do módulo de memória em relação a módulos do mesmo tipo.

  • Outro nome: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY
  • Descrição: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tipo de RAM: DDR2
  • Média: 664

Compre aqui:

Informação geral

Descrição: Especificações de desempenho do módulo de memória: Latência (ns), Ler sem cache (GB/s), Escrever (GB/s). Informação sobre preços.

Especificações da RAM

Latência: 57 ns   Read Uncached: 4,073.8 GB/s
Write: 1,702.7 GB/s   Price: NA
0.0 A partir de 0 Hitesti Avaliação
Acrescentar revisão para Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY 2GB

Visão geral Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY 2GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) L105 11/10 BITWAY 2GB
VS
up_down img con otras RAMs