RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S - Тесты и характеристики

Основная информация о производительности и результатах бенчмарков модели Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S. Фактические тесты отражают производительность модуля памяти по отношению к модулям того же типа. В тестах модулей памяти DDR3, DDR4 и DDR5 используются процессоры Intel и AMD.

  • Другое название: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-S6
  • Описание: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тип оперативной памяти: DDR2
  • Среднее значение: 442

Общая информация

Описание: Характеристики производительности модуля памяти: Латентность (нс), чтение без кэширования (ГБ/с), запись (ГБ/с). Информация о цене.

Спецификации оперативной памяти

Латентность: 72 ns   Read Uncached: 3,153.0 GB/s
Write: 1,497.5 GB/s   Price: NA

Латентность

Латентность — время, которое требуется модулю оперативной памяти для доступа к определенному набору данных в одной из колонок и вывода этих данных на свои выходы.

Скорость передачи данных при чтении без кэширования

Индекс производительности чтения оперативной памяти

0.0 Из 0 Hitesti Оценка
Добавить обзор для Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S

Обзор Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S
VS
up_down img с другими RAM