Основная информация о производительности и результатах бенчмарков модели Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S. Фактические тесты отражают производительность модуля памяти по отношению к модулям того же типа. В тестах модулей памяти DDR3, DDR4 и DDR5 используются процессоры Intel и AMD.
0
Комментарии
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S - Тесты и характеристики
- Другое название: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-S6
- Описание: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- Тип оперативной памяти: DDR2
- Среднее значение: 442
Купить здесь:
Яндекс.Маркет
СберМегаМаркет
AliExpress
Общая информация
Описание: Характеристики производительности модуля памяти: Латентность (нс), чтение без кэширования (ГБ/с), запись (ГБ/с). Информация о цене.
Спецификации оперативной памяти
| Латентность: | 72 ns | Read Uncached: | 3,153.0 GB/s | |||
| Write: | 1,497.5 GB/s | Price: | NA | |||
Латентность
Латентность — время, которое требуется модулю оперативной памяти для доступа к определенному набору данных в одной из колонок и вывода этих данных на свои выходы.
Скорость передачи данных при чтении без кэширования
Индекс производительности чтения оперативной памяти
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Скорость передачи данных при записи
Индекс производительности записи в оперативную память
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
0.0
Из 0
Hitesti Оценка
Для того, чтобы оставить отзыв, нужно login
Обзор Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S
VS
с другими RAM