RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S - Test e specifiche

Informazioni di base sulle prestazioni e sui risultati dei benchmark del modello Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S. I test attuali riflettono le prestazioni del modulo di memoria in relazione ai moduli dello stesso tipo. I test dei moduli di memoria DDR3, DDR4 e DDR5 utilizzano processori Intel e AMD.

  • Altro nome: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-S6
  • Descrizione: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tipo di RAM: DDR2
  • Media: 442

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Informazioni generali

Descrizione: Specifiche delle prestazioni del modulo di memoria: Latenza (ns), Lettura non memorizzata (GB/s), Scrittura (GB/s). Informazioni sul prezzo.

Specifiche della RAM

Latenza: 72 ns   Read Uncached: 3,153.0 GB/s
Write: 1,497.5 GB/s   Price: NA
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Panoramica Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S
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