Informazioni di base sulle prestazioni e sui risultati dei benchmark del modello Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S. I test attuali riflettono le prestazioni del modulo di memoria in relazione ai moduli dello stesso tipo. I test dei moduli di memoria DDR3, DDR4 e DDR5 utilizzano processori Intel e AMD.
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RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S - Test e specifiche
- Altro nome: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-S6
- Descrizione: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- Tipo di RAM: DDR2
- Media: 442
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Informazioni generali
Descrizione: Specifiche delle prestazioni del modulo di memoria: Latenza (ns), Lettura non memorizzata (GB/s), Scrittura (GB/s). Informazioni sul prezzo.
Specifiche della RAM
| Latenza: | 72 ns | Read Uncached: | 3,153.0 GB/s | |||
| Write: | 1,497.5 GB/s | Price: | NA | |||
Latenza
Latenza - il tempo necessario al modulo RAM per accedere a un particolare insieme di dati in una delle colonne ed emettere tali dati sulle sue uscite.
Velocità di trasferimento in lettura non memorizzata
Indice delle prestazioni di lettura della RAM
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Velocità di trasferimento in scrittura
Indice delle prestazioni di scrittura della RAM
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
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Hitesti valutazione
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Panoramica Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S
VS
con altre RAM