RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6 - Testes e especificações

Informação básica sobre o desempenho e resultados de referência do modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6. Os testes dos módulos de memória DDR3, DDR4 e DDR5 utilizam processadores Intel e AMD. Os testes reais reflectem o desempenho do módulo de memória em relação a módulos do mesmo tipo.

  • Outro nome: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6EFR8C-S6
  • Descrição: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tipo de RAM: DDR2
  • Média: 671

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Informação geral

Descrição: Especificações de desempenho do módulo de memória: Latência (ns), Ler sem cache (GB/s), Escrever (GB/s). Informação sobre preços.

Especificações da RAM

Latência: 55 ns   Read Uncached: 4,596.2 GB/s
Write: 2,019.9 GB/s   Price: NA
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Visão geral Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6
VS
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