Informação básica sobre o desempenho e resultados de referência do modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6. Os testes dos módulos de memória DDR3, DDR4 e DDR5 utilizam processadores Intel e AMD. Os testes reais reflectem o desempenho do módulo de memória em relação a módulos do mesmo tipo.
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RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6 - Testes e especificações
- Outro nome: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6EFR8C-S6
- Descrição: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- Tipo de RAM: DDR2
- Média: 671
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Informação geral
Descrição: Especificações de desempenho do módulo de memória: Latência (ns), Ler sem cache (GB/s), Escrever (GB/s). Informação sobre preços.
Especificações da RAM
| Latência: | 55 ns | Read Uncached: | 4,596.2 GB/s | |||
| Write: | 2,019.9 GB/s | Price: | NA | |||
Latência
Latência - o tempo que leva o módulo RAM a aceder a um conjunto particular de dados numa das colunas e a emitir esses dados para as suas saídas.
Ler Velocidade de Transferência Não Atingida
RAM ler índice de desempenho
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Velocidade de transferência de escrita
RAM índice de desempenho de escrita
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
0.0
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Hitesti Avaliação
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Visão geral Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6
VS
con otras RAMs