Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.
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RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6 - Pruebas y especificaciones
- Otro nombre: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6EFR8C-S6
- Descripción: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- Tipo de memoria RAM: DDR2
- Media: 671
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Información general
Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.
Especificaciones de la memoria RAM
| Latencia: | 55 ns | Read Uncached: | 4,596.2 GB/s | |||
| Write: | 2,019.9 GB/s | Price: | NA | |||
Latencia
Latencia: el tiempo que tarda el módulo de memoria RAM en acceder a un determinado conjunto de datos en una de las columnas y emitir esos datos a sus salidas.
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Índice de rendimiento de lectura de la RAM
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Velocidad de transferencia de escritura
Índice de rendimiento de escritura de la RAM
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
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Resumen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6
VS
con otros RAMs