RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6 - Pruebas y especificaciones

Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.

  • Otro nombre: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6EFR8C-S6
  • Descripción: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tipo de memoria RAM: DDR2
  • Media: 671

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Información general

Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.

Especificaciones de la memoria RAM

Latencia: 55 ns   Read Uncached: 4,596.2 GB/s
Write: 2,019.9 GB/s   Price: NA
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Resumen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP112U6
VS
up_down img con otros RAMs