Informazioni di base sulle prestazioni e sui risultati dei benchmark del modello PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB. I test attuali riflettono le prestazioni del modulo di memoria in relazione ai moduli dello stesso tipo. I test dei moduli di memoria DDR3, DDR4 e DDR5 utilizzano processori Intel e AMD.
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RAM PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB - Test e specifiche
- Altro nome: PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165
- Descrizione: PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
- Tipo di RAM: DDR3
- Media: 2715
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Informazioni generali
Descrizione: Specifiche delle prestazioni del modulo di memoria: Latenza (ns), Lettura non memorizzata (GB/s), Scrittura (GB/s). Informazioni sul prezzo.
Specifiche della RAM
| Latenza: | 22 ns | Read Uncached: | 16.3 GB/s | |||
| Write: | 10.7 GB/s | Price: | NA | |||
Latenza
Latenza - il tempo necessario al modulo RAM per accedere a un particolare insieme di dati in una delle colonne ed emettere tali dati sulle sue uscite.
Velocità di trasferimento in lettura non memorizzata
Indice delle prestazioni di lettura della RAM
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
Velocità di trasferimento in scrittura
Indice delle prestazioni di scrittura della RAM
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
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Hitesti valutazione
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Panoramica PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB
VS
con altre RAM