RAM PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB - Tests et spécifications

Informations de base sur les performances et les résultats des tests de référence du modèle PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB. Les tests actuels reflètent les performances du module de mémoire par rapport aux modules du même type. Les tests des modules de mémoire DDR3, DDR4 et DDR5 utilisent des processeurs Intel et AMD.

  • Autre nom : PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165
  • Description : PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Type de RAM : DDR3
  • Moyenne : 2715

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Informations générales

Description : Spécifications de performance du module de mémoire : Latence (ns), lecture non cachée (GB/s), écriture (GB/s). Informations sur les prix.

Spécifications de la RAM

Latence: 22 ns   Read Uncached: 16.3 GB/s
Write: 10.7 GB/s   Price: NA
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Vue d'ensemble PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB
 
PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB
VS
up_down img avec d'autres RAM