RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB - Test e specifiche

Informazioni di base sulle prestazioni e sui risultati dei benchmark del modello Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB. I test attuali riflettono le prestazioni del modulo di memoria in relazione ai moduli dello stesso tipo. I test dei moduli di memoria DDR3, DDR4 e DDR5 utilizzano processori Intel e AMD.

  • Altro nome: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF
  • Descrizione: PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tipo di RAM: DDR4
  • Media: 2409

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Informazioni generali

Descrizione: Specifiche delle prestazioni del modulo di memoria: Latenza (ns), Lettura non memorizzata (GB/s), Scrittura (GB/s). Informazioni sul prezzo.

Specifiche della RAM

Latenza: 27 ns   Read Uncached: 14.6 GB/s
Write: 10.5 GB/s   Price: NA
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Panoramica Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
VS
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