Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.
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RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB - Tests und Spezifikationen
- Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF
- Beschreibung: PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
- RAM-Typ: DDR4
- Durchschnittlich: 2409
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Allgemeine Informationen
Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.
RAM-Spezifikationen
| Latenzzeit: | 27 ns | Read Uncached: | 14.6 GB/s | |||
| Write: | 10.5 GB/s | Price: | NA | |||
Latenzzeit
Latenzzeit - die Zeit, die das RAM-Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer der Spalten zuzugreifen und diese Daten an seinen Ausgängen auszugeben.
Read Uncached Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Leseleistungsindex
17.9 GB/s
18.3 GB/s
13.8 GB/s
16.1 GB/s
18.2 GB/s
18.5 GB/s
13.9 GB/s
16.1 GB/s
16.8 GB/s
Schreib-Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Schreib-Leistungsindex
13.8 GB/s
14.5 GB/s
10.1 GB/s
11.7 GB/s
14.6 GB/s
14.4 GB/s
9.9 GB/s
13.0 GB/s
12.8 GB/s
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Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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