RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB - Tests und Spezifikationen

Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.

  • Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF
  • Beschreibung: PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • RAM-Typ: DDR4
  • Durchschnittlich: 2409

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Allgemeine Informationen

Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.

RAM-Spezifikationen

Latenzzeit: 27 ns   Read Uncached: 14.6 GB/s
Write: 10.5 GB/s   Price: NA
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Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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