Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Tower Semiconductor AS6E8E63B-6E1A 512MB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.
0
Kommentar
RAM Tower Semiconductor AS6E8E63B-6E1A 512MB - Tests und Spezifikationen
- Anderer Name: Tower Semiconductor AS6E8E63B-6E1A
- Beschreibung: PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
- RAM-Typ: DDR2
- Durchschnittlich: 307
Kaufen Sie hier:
AliExpress
Allgemeine Informationen
Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.
RAM-Spezifikationen
| Latenzzeit: | 72 ns | Read Uncached: | 2,654.8 GB/s | |||
| Write: | 1,094.0 GB/s | Price: | NA | |||
Latenzzeit
Latenzzeit - die Zeit, die das RAM-Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer der Spalten zuzugreifen und diese Daten an seinen Ausgängen auszugeben.
Read Uncached Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Leseleistungsindex
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Schreib-Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Schreib-Leistungsindex
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
0.0
Von 0
Hitesti Bewertung
Um eine Bewertung abzugeben, müssen sie login
Übersicht Tower Semiconductor AS6E8E63B-6E1A 512MB
Tower Semiconductor AS6E8E63B-6E1A 512MB
VS
mit anderen Widder