Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.
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RAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB - Tests und Spezifikationen
- Anderer Name: Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4
- Beschreibung: PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
- RAM-Typ: DDR4
- Durchschnittlich: 3649
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Allgemeine Informationen
Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.
RAM-Spezifikationen
| Latenzzeit: | 31 ns | Read Uncached: | 20.5 GB/s | |||
| Write: | 15.5 GB/s | Price: | NA | |||
Latenzzeit
Latenzzeit - die Zeit, die das RAM-Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer der Spalten zuzugreifen und diese Daten an seinen Ausgängen auszugeben.
Read Uncached Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Leseleistungsindex
17.9 GB/s
18.3 GB/s
13.8 GB/s
16.1 GB/s
18.2 GB/s
18.5 GB/s
13.9 GB/s
16.1 GB/s
16.8 GB/s
Schreib-Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Schreib-Leistungsindex
13.8 GB/s
14.5 GB/s
10.1 GB/s
11.7 GB/s
14.6 GB/s
14.4 GB/s
9.9 GB/s
13.0 GB/s
12.8 GB/s
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Übersicht Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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