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DDR4 RAM的评分。内存模块的主要特征。比较和选择. | Hitesti Page 15
DDR4 内存模块
DDR4安装在固定计算机,笔记本电脑,单块中。与DDR3相比,电压降至1.2V。时钟频率范围高达4400 MHz。比其前身更有效,更快。但是,由于特定的体系结构,在内存计时方面不如DDR3。
№
Memory name
Latency (ns)
Read (MB/s)
Write (MB/s)
Price
281
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
22
17.7
13.7
NA
282
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
24
16.6
12.4
NA
283
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
22
17.3
13.7
NA
284
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
23
17.6
13.4
NA
285
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
23
16.7
13.2
NA
286
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
21
18.5
14.0
NA
287
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
23
16.3
10.8
NA
288
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
30
15.5
12.9
NA
289
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
20
18.9
14.6
NA
290
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
21
18.6
14.0
NA
291
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
24
17.0
13.5
NA
292
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
18
20.8
15.1
NA
293
Avexir Technologies Corporation T 4GB
21
18.0
13.4
NA
294
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
70
15.3
8.8
NA
295
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
25
15.4
13.4
NA
296
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
26
16.9
14.5
NA
297
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
23
14.4
7.3
NA
298
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
36
16.0
13.2
NA
299
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
28
18.5
15.7
NA
300
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
30
16.9
13.4
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