关于模型的性能和基准结果的基本信息 Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。
0
评论文章
RAM Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB - 测试和规格
- 其他名称。 Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG
- 描述。 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
- 内存类型。 DDR3
- 平均数。 1862
在这里购买：
AliExpress
一般信息
描述: 内存模块的性能规格。延迟（ns），未缓存的读取（GB/s），写入（GB/s）。价格信息。
内存规格
| 延迟: | 33 ns | Read Uncached: | 11.8 GB/s | |||
| Write: | 8.5 GB/s | Price: | NA | |||
延迟
Latency - the time it takes the RAM module to access a particular set of data in one of the columns and output that data to its outputs.
读取非缓存传输速度
RAM读取性能指数
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
写传输速度
RAM写性能指数
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
0.0
来自 0
Hitesti 评价
为了留下评论，你需要 login
概述 Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
VS
与其他RAM