RAM Micron Technology DT3B122GX4GBV-800I 4GB - 测试和规格

关于模型的性能和基准结果的基本信息 Micron Technology DT3B122GX4GBV-800I 4GB. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。

  • 其他名称。 Micron Technology DT3B122GX4GBV-800I
  • 描述。 PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported:
  • 内存类型。 DDR2
  • 平均数。 492

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一般信息

描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。

内存规格

延迟: 89 ns   Read Uncached: 2,405.3 GB/s
Write: 1,554.6 GB/s   Price: NA
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概述 Micron Technology DT3B122GX4GBV-800I 4GB
 
Micron Technology DT3B122GX4GBV-800I 4GB
VS
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