关于模型的性能和基准结果的基本信息 Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。
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RAM Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB - 测试和规格
- 其他名称。 Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1
- 描述。 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
- 内存类型。 DDR4
- 平均数。 2266
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一般信息
描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。
内存规格
延迟: | 30 ns | Read Uncached: | 11.2 GB/s | |||
Write: | 7.9 GB/s | Price: | NA |
延迟
Latency - the time it takes the RAM module to access a particular set of data in one of the columns and output that data to its outputs.
读取非缓存传输速度
RAM读取性能指数
17.9 GB/s
18.3 GB/s
13.8 GB/s
16.1 GB/s
18.2 GB/s
18.5 GB/s
13.9 GB/s
16.1 GB/s
16.8 GB/s
写传输速度
RAM写性能指数
13.8 GB/s
14.5 GB/s
10.1 GB/s
11.7 GB/s
14.6 GB/s
14.4 GB/s
9.9 GB/s
13.0 GB/s
12.8 GB/s
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概述 Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
VS
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