RAM Micron Technology 16HTF12864HY-667B3 1GB - 测试和规格

关于模型的性能和基准结果的基本信息 Micron Technology 16HTF12864HY-667B3 1GB. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。

  • 其他名称。 Micron Technology 16HTF12864HY-667B3
  • 描述。 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 内存类型。 DDR2
  • 平均数。 422

在这里购买:

一般信息

描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。

内存规格

延迟: 71 ns   Read Uncached: 2,668.0 GB/s
Write: 1,337.6 GB/s   Price: NA
0.0 来自 0 Hitesti 评价
添加评论为 Micron Technology 16HTF12864HY-667B3 1GB

概述 Micron Technology 16HTF12864HY-667B3 1GB
 
Micron Technology 16HTF12864HY-667B3 1GB
VS
up_down img 与其他RAM