关于模型的性能和基准结果的基本信息 Micron Technology 16HTF12864HY-667B3 1GB. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。
0
评论文章
RAM Micron Technology 16HTF12864HY-667B3 1GB - 测试和规格
- 其他名称。 Micron Technology 16HTF12864HY-667B3
- 描述。 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
- 内存类型。 DDR2
- 平均数。 422
在这里购买：
AliExpress
一般信息
描述: 内存模块的性能规格。延迟（ns），未缓存的读取（GB/s），写入（GB/s）。价格信息。
内存规格
| 延迟: | 71 ns | Read Uncached: | 2,668.0 GB/s | |||
| Write: | 1,337.6 GB/s | Price: | NA | |||
延迟
Latency - the time it takes the RAM module to access a particular set of data in one of the columns and output that data to its outputs.
读取非缓存传输速度
RAM读取性能指数
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
写传输速度
RAM写性能指数
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
0.0
来自 0
Hitesti 评价
为了留下评论，你需要 login
概述 Micron Technology 16HTF12864HY-667B3 1GB
Micron Technology 16HTF12864HY-667B3 1GB
VS
与其他RAM