RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512F - 测试和规格

关于模型的性能和基准结果的基本信息 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512F. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。

  • 其他名称。 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512F72CP8D3-Y5
  • 描述。 PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • 内存类型。 DDR2
  • 平均数。 632

在这里购买:

一般信息

描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。

内存规格

延迟: 101 ns   Read Uncached: 2,842.6 GB/s
Write: 2,036.2 GB/s   Price: NA
0.0 来自 0 Hitesti 评价
添加评论为 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512F

概述 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512F
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512F
VS
up_down img 与其他RAM