RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512B - 测试和规格

关于模型的性能和基准结果的基本信息 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512B. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。

  • 其他名称。 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512B72BP8N2-C4
  • 描述。 PC-4200, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4
  • 内存类型。 DDR2
  • 平均数。 564

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一般信息

描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。

内存规格

延迟: 93 ns   Read Uncached: 2,600.4 GB/s
Write: 1,667.1 GB/s   Price: NA
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概述 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512B
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512B
VS
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