关于模型的性能和基准结果的基本信息 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125U6. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。
0
评论文章
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125U6 - 测试和规格
- 其他名称。 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125U6EFR8C-S6
- 描述。 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- 内存类型。 DDR2
- 平均数。 750
在这里购买:
一般信息
描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。
内存规格
延迟: | 55 ns | Read Uncached: | 4,583.8 GB/s | |||
Write: | 2,166.5 GB/s | Price: | NA |
延迟
Latency - the time it takes the RAM module to access a particular set of data in one of the columns and output that data to its outputs.
读取非缓存传输速度
RAM读取性能指数
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
写传输速度
RAM写性能指数
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
为了留下评论,你需要 login
概述 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125U6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125U6
VS
与其他RAM