关于模型的性能和基准结果的基本信息 Corsair CMD16GX3M4B2133C9 4GB. 实际测试反映了内存模块相对于同类型模块的性能。 对DDR3、DDR4和DDR5内存模块的测试使用了英特尔和AMD的处理器。
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RAM Corsair CMD16GX3M4B2133C9 4GB - 测试和规格
- 其他名称。 Corsair CMD16GX3M4B2133C9
- 描述。 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
- 内存类型。 DDR3
- 平均数。 2821
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一般信息
描述: 内存模块的性能规格。延迟(ns),未缓存的读取(GB/s),写入(GB/s)。价格信息。
内存规格
延迟: | 31 ns | Read Uncached: | 16.9 GB/s | |||
Write: | 10.3 GB/s | Price: | $179.99 USD (2015-11-18) |
延迟
Latency - the time it takes the RAM module to access a particular set of data in one of the columns and output that data to its outputs.
读取非缓存传输速度
RAM读取性能指数
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
17.9 GB/s
写传输速度
RAM写性能指数
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
10.0 GB/s
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概述 Corsair CMD16GX3M4B2133C9 4GB
Corsair CMD16GX3M4B2133C9 4GB
VS
与其他RAM