Основная информация о производительности и результатах бенчмарков модели Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB. Фактические тесты отражают производительность модуля памяти по отношению к модулям того же типа. В тестах модулей памяти DDR3, DDR4 и DDR5 используются процессоры Intel и AMD.
0
Комментарии
RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB - Тесты и характеристики
- Другое название: Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1
- Описание: PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
- Тип оперативной памяти: DDR4
- Среднее значение: 2148
Купить здесь:
Яндекс.Маркет
СберМегаМаркет
AliExpress
Общая информация
Описание: Характеристики производительности модуля памяти: Латентность (нс), чтение без кэширования (ГБ/с), запись (ГБ/с). Информация о цене.
Спецификации оперативной памяти
| Латентность: | 38 ns | Read Uncached: | 14.2 GB/s | |||
| Write: | 10.3 GB/s | Price: | NA | |||
Латентность
Латентность — время, которое требуется модулю оперативной памяти для доступа к определенному набору данных в одной из колонок и вывода этих данных на свои выходы.
Скорость передачи данных при чтении без кэширования
Индекс производительности чтения оперативной памяти
17.9 GB/s
18.3 GB/s
13.8 GB/s
16.1 GB/s
18.2 GB/s
18.5 GB/s
13.9 GB/s
16.1 GB/s
16.8 GB/s
Скорость передачи данных при записи
Индекс производительности записи в оперативную память
13.8 GB/s
14.5 GB/s
10.1 GB/s
11.7 GB/s
14.6 GB/s
14.4 GB/s
9.9 GB/s
13.0 GB/s
12.8 GB/s
0.0
Из 0
Hitesti Оценка
Для того, чтобы оставить отзыв, нужно login
Обзор Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
VS
с другими RAM