RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB - Тесты и характеристики

Основная информация о производительности и результатах бенчмарков модели Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB. Фактические тесты отражают производительность модуля памяти по отношению к модулям того же типа. В тестах модулей памяти DDR3, DDR4 и DDR5 используются процессоры Intel и AMD.

  • Другое название: Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1
  • Описание: PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тип оперативной памяти: DDR4
  • Среднее значение: 2148

Общая информация

Описание: Характеристики производительности модуля памяти: Латентность (нс), чтение без кэширования (ГБ/с), запись (ГБ/с). Информация о цене.

Спецификации оперативной памяти

Латентность: 38 ns   Read Uncached: 14.2 GB/s
Write: 10.3 GB/s   Price: NA

Латентность

Латентность — время, которое требуется модулю оперативной памяти для доступа к определенному набору данных в одной из колонок и вывода этих данных на свои выходы.

Скорость передачи данных при чтении без кэширования

Индекс производительности чтения оперативной памяти

Скорость передачи данных при записи

Индекс производительности записи в оперативную память

0.0 Из 0 Hitesti Оценка
Добавить обзор для Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Обзор Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
 
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
VS
up_down img с другими RAM