RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB - Тесты и характеристики

Основная информация о производительности и результатах бенчмарков модели Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB. Фактические тесты отражают производительность модуля памяти по отношению к модулям того же типа. В тестах модулей памяти DDR3, DDR4 и DDR5 используются процессоры Intel и AMD.

  • Другое название: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips
  • Описание: PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тип оперативной памяти: DDR3
  • Среднее значение: 2444

Общая информация

Описание: Характеристики производительности модуля памяти: Латентность (нс), чтение без кэширования (ГБ/с), запись (ГБ/с). Информация о цене.

Спецификации оперативной памяти

Латентность: 24 ns   Read Uncached: 15.5 GB/s
Write: 8.8 GB/s   Price: NA

Латентность

Латентность — время, которое требуется модулю оперативной памяти для доступа к определенному набору данных в одной из колонок и вывода этих данных на свои выходы.

Скорость передачи данных при чтении без кэширования

Индекс производительности чтения оперативной памяти

0.0 Из 0 Hitesti Оценка
Добавить обзор для Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Обзор Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
VS
up_down img с другими RAM