RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP532U64P6-E3 256MB - Тесты и характеристики

Основная информация о производительности и результатах бенчмарков модели Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP532U64P6-E3 256MB. Фактические тесты отражают производительность модуля памяти по отношению к модулям того же типа. В тестах модулей памяти DDR3, DDR4 и DDR5 используются процессоры Intel и AMD.

  • Другое название: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP532U64P6-E3
  • Описание: PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тип оперативной памяти: DDR2
  • Среднее значение: 395

Общая информация

Описание: Характеристики производительности модуля памяти: Латентность (нс), чтение без кэширования (ГБ/с), запись (ГБ/с). Информация о цене.

Спецификации оперативной памяти

Латентность: 51 ns   Read Uncached: 3,614.7 GB/s
Write: 1,687.0 GB/s   Price: NA

Латентность

Латентность — время, которое требуется модулю оперативной памяти для доступа к определенному набору данных в одной из колонок и вывода этих данных на свои выходы.

Скорость передачи данных при чтении без кэширования

Индекс производительности чтения оперативной памяти

0.0 Из 0 Hitesti Оценка
Добавить обзор для Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP532U64P6-E3 256MB

Обзор Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP532U64P6-E3 256MB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP532U64P6-E3 256MB
VS
up_down img с другими RAM